Kurzname für den Halbleiterkristall Bi4Ge3O12, der als Szintillatormaterial in Halbleiterdetektoren der Elementarteilchenphysik eingesetzt wird. Aufgrund der hohen Dichte von 7,13g/cm - 3 besitzt das Material eine höhere g-Effizienz als beispielsweise NaI(Tl). Auch wegen der sehr guten Zeit- und Ortsauflösungseigenschaften eignet sich BGO sehr gut als Material für kompakte Detektoren und für Anti-Compton-Abschirmungen.
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