Techniklexikon

anodisches Bonden

Verfahren der Mikrosystemtechnik zur Verbindung unterschiedlicher Materialien, etwa Glas und Silicium. Dabei werden Glas- und Siliciumscheiben in engem Kontakt auf etwa 400 °C erwärmt und eine Spannung von etwa 1 kV angelegt. Da die im Glas vorhandenen Ionen bei dieser Temperatur relativ leicht wandern, bewegen sich positive Na-Ionen von der Grenzfläche weg in Richtung Kathode (die am Glas anliegt) und werden dort neutralisiert. Dadurch entsteht ein Gebiet von Anionen (SiO₂ ^- ) im Glas und an der Grenzfläche. Der Überschuss negativer Ladungen erzeugt ein starkes elektrostatisches Feld, welches beide Grenzflächen zusammenhält. Zwei Silicium-Schichten verbindet man mit einer nur wenige mm dicken Glasschicht, die zwischen den beiden Siliciumschichten aufgebracht wird, oder durch Aufheizen der Wafer auf etwa 1100 °C und Anlegen einer Spannung von 20 V.